一、项目概况（一）项目编号：（二）项目名称：-项目国产分立器件（三）项目内容及需求：、数量：阶梯价格＜，≤＜，≤＜，≤＜，≥、交期：按照高德公司需求计划。、技术要求：（）高压电阻封装，耐压以上，Ω（）多层高压瓷介电容器封装（不要支架型），≥，.（）高分子钽电解电容（款）①，壳体，µ/②，壳体，µ/③，壳体，µ/（）模压陶瓷电容，壳体，µ/（）三端滤波电容，µ/，（）-控制晶闸管工作电压：典型值.耐压值：不低于重复脉冲电流：不小于封装：--（） -场效应管漏极-源极电压：+栅极-源极电压：±漏极直流电流：总耗散功率：封装：-（）-场效应管漏源电压：栅源电压：±漏极连续电流：耗散功率：封装：*（）三端可调精密稳压器（参考）输入：-输出：封装：_（） 开关二极管反向工作峰值电压：封装：-正向电流：总耗散功率：反向恢复时间：≤.（） 整流二极管（可参考进口-）最大额定值：最大额定值：最大额定值：封装：-（） 整流二极管反向工作峰值电压：≥整流输出平均电流：≥.反向漏电流：≤反向恢复时间：≤最大正向压降：≤封装：-（） 单向瞬态抑制二极管（参考进口）（）双向瞬态抑制二极管（参考进口）（）光电耦合器高速逻辑门输出型光耦合器传输延迟：小于输入端额定电压：-输出端电源电压：±输出端输出电压：±封装：（） 光电耦合器光敏晶体管输出型光耦合器通道数：单通道脉冲上升时间：脉冲下降时间：封装：（）....
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